杭州海乾半导体申请一种局部掺杂的碳化硅外延片的制备方法专利，能够实现碳化硅外延层横向掺杂的变化控制

金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州海乾半导体有限公司申请一项名为“一种局部掺杂的碳化硅外延片的制备方法”的专利，公开号CN 119742221 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种局部掺杂的碳化硅外延片的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)在SiC衬底表面生长P型或者N型的碳化硅外延层；(2)自碳化硅外延层表面向下刻蚀沟槽，然后进行清洗；(3)将清洗后的外延片放入反应腔中进行二次外延生长直至沟槽填充完成，二次外延生长时交替通入硅源和碳源；沟槽内填充的碳化硅外延层的掺杂浓度或掺杂类型与步骤(1)中的碳化硅外延层不同；(4)研磨去除碳化硅外延层表面在进行步骤(3)时多余生长的外延层；该方法能够实现碳化硅外延层横向掺杂的变化控制，同时抑制沟槽侧壁外延生长过快，加强底部平面的纵向外延生长，防止沟槽快速闭合导致的空洞。

天眼查资料显示，杭州海乾半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本600万人民币，实缴资本125.9078万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州海乾半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员